芯片高温老化寿命试验（HTOL），芯片可靠性验证

详情描述：

芯片高温老化寿命试验（HTOL）
　　高温老化寿命试验(HTOL)
　　参考标准：JESD22-A108；
　　测试条件：
　　For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
　　Grade 0: 150℃Ta for 1000 hours.
　　Grade 1: 125℃Ta for 1000 hours.
　　Grade 2: 105℃Ta for 1000 hours.
　　Grade 3: 85℃Ta for 1000 hours.
　　Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.
　　TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.
　　广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）是原信息产业部电子602计量站，经过50余年的发展，现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构，专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务，在计量校准、可靠性与环境试验、元器件筛选与失效分析检测、车规元器件认证测试、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内*水平。
　　GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力：
　　芯片可靠性验证(RA)：
　　芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113；
　　高温存储试验(HTSL),JESD22-A103；
　　温度循环试验(TC),JESD22-A104；
　　温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101；
　　高加速应力试验(HTSL/HAST),JESD22-A110；
　　高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108；
　　芯片静电测试(ESD)：
　　人体放电模式测试(HBM),JS001；
　　元器件充放电模式测试(CDM),JS002；
　　闩锁测试(LU),JESD78；
　　TLP；Surge/EOS/EFT；
　　芯片IC失效分析(FA)：
　　光学检查(VI/OM)；
　　扫描电镜检查(FIB/SEM)
　　微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
　　OBIRCH；Micro-probe;
　　聚焦离子束微观分析(FIB)；
　　广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）失效分析实验室AEC-Q技术团队，执行过大量的AEC-Q测试案例，积累了丰富的认证试验经验，可为您提供更专业、更可靠的AEC-Q认证试验服务。
　　GRGT团队技术能力：
　　集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控
　　集成电路竞品分析、工艺分析
　　芯片级失效分析方案turnkey
　　芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计
　　静电防护失效整改技术建议
　　集成电路可靠性验证
　　材料分析技术支持与方案制定
　　半导体材料分析手法
　　芯片测试地点：广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。
　　芯片高温老化寿命试验：
　　GRGT张经理186-2090 8348；
　　zhanghp grgtest.com